加载中…汽车半导体
(2022-07-03 15:02:40)
标签：
股票 |
汽车芯片
二
功率半导体，汽车电动化趋势下的确定性高增长,需求快速提升。预计2025年，全球新能源车达20%，我国达34%，即达1000万辆领跑。
功率半导体分为功率IC（集成电路）和功率分离器件两大类，二者集成为功率模块（包括MOSFEIT/IGBT模块、IPM模块、PIM模块）。
功率IC,包括线性稳压器、开关稳压器、电压基准、监控及定序期和开关IC等。
功率分离器件包括不可控器件即功率电子二极管、半控型器件即晶开管(可开可断）、全控型器件（IGBT/ISTR/GTO/MOSFET)，只可控开大小不可关。
功率半导体细分：
1、主传动/逆变器，一般选用SI基（硅基）的IGBT(模块）、SIC基的MOSFET;
2、充电器（OBC),一般选用驱动功率为3-6KW
3、DC-DC转换，低压转换一般用SI基的MOSFET；
4、高压转换，用SI/SIC
GAN
5、电池管理系统（BMS),低电压的，选用SI基电池管理ICs。
海外缺芯加上国内新能源车爆发，国内企业迎来发展窗口期，以英飞凌为代表的缺芯明显。IGBT和MOSFET预计未来四个季度供解端难以缓解。21年Q4，整体交货期维持在40-50周，供解不紧的情况下，维持在10-16周（2-3个月）。扩产一般需要9-12个月。
国内厂商：
比亚迪：
IGBT，市占率19%，仅次于英飞凌。全球第二。
SIC器件（碳化硅）高端车型电动控制器中规模化应用，全球首家。
斯达半导:21年营收大增。IGBT持续放量，A级及以上车型中配套15万辆。在车内空调、充电桩、助力转向份额上升。
时代电气：
电驱系统与一流车企如一汽、长安深度合作。
士兰微：
自主研发v代IGBT和FRD电驱模块。正加快汽车级、工业级模块产能建设。21年业绩增长73%。
目前车规级半导体主要采用硅基材料，但受自身性能极限限制，硅基器件的功率难以进一步提升，硅基材料在高开关频率及高压下损耗较大。以SIC和GAN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体功率器件具有高击穿电压、高功率密度、耐高温、高频工作优势，适用于大功率、高频率和恶劣的工作环境，解决SI器件的痛点。
SIC适用于新能源汽车领域，GAN适用于高射频领域。
SIC与GAN相较，具有更高的热导率和崩溃电压，因此在高温、高压更有优势，适用于新能源汽车、快充充电桩、光伏和电网600v-1200v电力领域，SIC主要适用于逆变器、OBC和DC-DC切换。
SIC芯片产业链与硅基相似，有晶圆衬底、外延、设计、制造、封装等，国内碳化硅处于起步，市场由国外掌控，国产率较低。
衬底：山东天岳、天科合达；
外延：瀚天天成、东浣天绒；
设计：上海瞻芯电子、上海瀚薪；
IDM:泰科天润、中科汉韵、三安集成、士兰微；
封装：长电科技、华天科技
喜欢
0
赠金笔