(2021-08-13 11:41)
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晶闸管的品质要求参数很多，其中最重要的也是客户在市场中经常遇到的参数就是关断时间了。今天瑞新小编就带大家来了解下关断时间的相关参数要求。
1、电路换向关断时间tg
单位：us微秒
关断时间tg和电源频率的对应
关断时间tg 是快速元件和
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可控硅使用现象分析
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近期西安瑞新针对客户在使用可控硅过程中出现的击穿现象，整理分析如下：
1、过压击穿：
过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。
2、过流与过热击穿：其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升
高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过流（几百毫秒到几秒时间）一般是不会击穿的。
3、过热击穿：这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可
随着电力电子行业的不断发展，可控硅的应用越来越广泛；可控硅具体应用于哪些行业呢？
电镀行业：镀锌、镀锡、镀镍、镀铬、镀镉、镀铜、镀铅、镀银、镀金、合金电镀、仿金电镀等等;
晶体管在用作放大或振荡时，它的放大倍数和工作频率是有一定限度的，并且还互相有影响。那么，晶体管的频率参数有哪些呢?下面分别介绍：
1.共基极电路截止频率fα
在晶体管共基极电路中，晶体管共基极电流放大系数α在频率较低时基本为一常数，但工作频率超过某一值时，α值开始下降，当α值降至低频值α(例如1kHz)的0.707倍时所对应的频率为fα，称为共基极电路截止频率(或α截止频率)。
2．共发射极电路截止频率fβ
它指在共发射极电路里晶体管的电流放大系数β值降低至低频值β0的0.707倍时所对应的频率为fβ，称为共发射极电路截止频率(或β截止频率)。
fα和fβ两个截止频率的物理意义是相同的，只是晶体管连接的电路形式不同，fα、fβ两者的关系是：fα=(1+β)fβ。因此只要知道其中一个频率参数和β值，就可推算出另一个频率值。由上式还可以看出：同一型号β值高的管子其fα、fβ都相对较高。另外，同一型号管子fα远大于fβ。因此，高频、超高频、特高频等振荡器电路为了发
(2017-04-12 09:01)
晶闸管模块和IGBT模块结构不同
晶闸管（SCR）又称晶闸管，在高电压、大电流的应用场合，SCR是主流的功率器件，IGBT模块发展迅速，大有取代SCR的趋势。SCR在大容量、低频的电力电子装置中仍占主导地位。性能优良的晶闸管派生器件有很多，如快速、双向、逆导、门极可关断及光控等晶闸管。
晶闸管模块结构图和外形型号如下：
晶体管的检测：
1、检测小功率晶体二极管
A、判别正、负电极
(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值
随着电力电子设备向高压、大电流、高功率方向的发展，越来越多的场合需用到数只晶闸管串、并联连接作为一个臂使用。为保证各晶闸管工作时电压及电流的均衡，需要在器件的选择及使用中采取必要的措施。襄博飞宏大采用“工艺控制+恢复电荷测试+串、并联试验筛选”的方法为用户挑选配对器件，经过长期试验和用户使用，证明可有效地保证串、并联器件动态工作参数的一致性。
晶闸管的串联使用
1．串联晶闸管工作过程分析
串联晶闸管工作时，各器件的均压是我们最关心的问题。如果将串联器件的一个工作周期分成五个阶段，可包括正向阻断、开通、通态、反向恢复及反向阻断阶段。在正向及反向阻断阶段，串联器件的电压分配主要由其阻断伏安特性决定，即特性硬、相同漏电流下阻断电压高的器件将承受较高的电压。在开通阶段，器件由断态向通态过渡，如果器件开通的时间不一致，则后开通的器件在短时间内将承受过电压。在反向恢复阶段，器件由通态向反向阻断状态过渡，主电流反向抽取一定量的反向恢复电荷Qrr后，器件恢复反向阻断能力。如果串联器件的反向恢复特性不一
可控硅模块，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。那么如何分析可控硅模块被击穿的原因呢？下面就跟随我们一起了解一下吧：
1、过热击穿
过热击穿是指在工作电流并不超过额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种热击穿的原因主要是可控硅模块的辅助散热装置的工作不良而引起的芯片温度过高导致击穿。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影响散热效果，如果您的机器上的某只可控硅模块经常击穿又找不到其他原因的话，就应该考虑在更换时连同散热器一齐更换。
2、过压击穿
过压击穿是击穿的主要原因之一，可控硅模块对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的很短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在两端一定要接入RC吸收回路，以避免
(1)串联晶闸管工作过程分析
串联晶闸管工作时，串联器件的一个工作周期可分成五个阶段：正向阻断、开通、通态、反向恢复及反向阻断阶段。在正向及反向阻断阶段，相同漏电流下阻断电压高的器件将承受较高的电压。在开通阶段，器件由断态向通态过渡，后开通的器件在短时间内将承受过电压。在反向恢复阶段，主电流反向抽取一定量的反向恢复电荷Qrr后，器件恢复反向阻断能力。如果串联器件的反向恢复特性不一致，则先恢复的器件将承受过电压。
(2)串联晶闸管器件选择
晶闸管的串联使用需选择阻断特性、开通特性、恢复特性一致的器件。
(3)串联晶闸管器件使用注意事项
3.1采用稳态和动态均压措施
稳态均压：每只串联器件并联一只均压电阻Rp。其阻值Rp的选取原则是在工作电压下让流过电阻的电流为器件在额定结温下漏电流的2到5倍。
动态均压：采用并联阻容吸收电路。一般可选择：Cb=0.1-0.4μF,Rb=8-20W
晶闸管正常导通是门极信号触发。当门极触发信号强度达到晶闸管国标规定时，晶闸管正向导通。此时，正向电流一定要超过标准规定的维持电流，否则，无法导通。
有两种情况可使晶闸管误导通：1，选用的晶闸管“断态不重复峰值电压”即俗称正向峰值耐压(或称正向转折电压)偏低。所加正向电压峰值超过正向转折电压，晶闸管立即导通。因此时正向漏电流大幅上升(称正向雪崩电流)，输入载流子满足导通条件。使用过压保护措施可避免误导通。2，所加正向电压上升率dV/dt超过标准规定值。晶闸管阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导。因此对管子的最大正向电压上升率必须加以限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。采购晶闸管欢迎访问西安瑞新阿里可控硅旺铺（https://shop1359018606206.1688.com/）
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