代理SVF12N65F，高压场效应，低Rds=068Ω_sz百盛电子

http://blog.sina.com.cn/u/3913148008

首页博文目录关于我

个人资料

微博

加好友发纸条

写留言加关注

博客等级：
博客积分：

博客访问：
关注人气：
获赠金笔：0支
赠出金笔：0支
荣誉徽章：

正文字体大小：大中小

代理SVF12N65F，高压场效应，低Rds=068Ω

(2022-04-19 18:00:09)

标签：

svf12n65f

高压场效应

ic芯片

SVF12N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动.

特点
∗ 12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.68Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力

深圳市百盛电子SVF12N65F代理，深圳市百盛电子SVF12N65F代理，深圳市百盛电子SVF12N65F代理，

阅读┊ 收藏 ┊ 喜欢 ▼ ┊打印┊举报/Report

前一篇：代理SVF10N65F,10A/650V增强型场效应管，0.80Ω

后一篇：锂电池保护电路PL5353A，外围超简代理商

新浪BLOG意见反馈留言板　欢迎批评指正