SVF10N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管。采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

特点 
∗ 10A，650V，RDS(on)(典型值)=0.80Ω@VGS=10V  ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快  ∗ 提升了dv/dt 能力。

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