加载中…256Mb自旋转移扭矩MRAM-EMD3D256MDDR3
(2022-09-13 17:06:12)
标签：
mramddr3ddr3stt-mrameverspin |
分类： EVERSPIN存储器MRAM |
EMD3D256M DDR3自旋转移扭矩MRAM是一种容量为256Mb（32Mb
x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存储器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能够以高达
1333MT/Sec/Pin的速率进行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接 (ODT)
和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写入周期耐久性的优势。采用Spin-Torque MRAM
技术，无需单元刷新，极大地简化了系统设计并降低了开销。
Everspin自旋转移扭矩MRAM所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。I/O与一对双向选通脉冲（DQS、DQS）同步。采用 RAS/CAS 多路复用方案，工作电压为 1.5V。更多产品详情请洽英尚国际。
DDR3
Everspin自旋转移扭矩MRAM所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。I/O与一对双向选通脉冲（DQS、DQS）同步。采用 RAS/CAS 多路复用方案，工作电压为 1.5V。更多产品详情请洽英尚国际。
DDR3
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