加载中…Everspin代理8位并行接口MRAM-MR4A08BCYS35
(2022-08-26 15:54:58)
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everspineverspin代理mr4a08bcys35并行接口mram |
分类： EVERSPIN存储器MRAM |
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM具有接近零的静态功耗，较高的读写速度，与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相兼容等优点，在车用电子与穿戴设备等领域已实现商业化应用，被认为是最有希望的下一代存储器之一。
Everspin在磁存储器设计制造和交付相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是翘楚。Everspin拥有600多项有效专利和应用的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结 (MTJ) STT-MRAM 位单元的开发方面处于市场领先地位。
MR4A08BCYS35是一款容量16Mb的磁阻随机存取存储器MRAM芯片，位宽2Mx8位字。提供与SRAM兼容的35ns的快速读/写周期，具有无限读写耐力，数据在超过20年的时间里始终是非易失性的。数据通过低压抑制电路在断电时自动保护，以防止电压超出规格的写入。是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。
MR4A08BCYS35采用符合RoHS的小尺寸TSOP2封装。封装兼容与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性ram产品。通过更换电池供电的SRAM提高可靠性，实现更简单、更高效的设计。在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。更多产品相关信息Everspin代理请洽英尚微。
Everspin在磁存储器设计制造和交付相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是翘楚。Everspin拥有600多项有效专利和应用的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结 (MTJ) STT-MRAM 位单元的开发方面处于市场领先地位。
MR4A08BCYS35是一款容量16Mb的磁阻随机存取存储器MRAM芯片，位宽2Mx8位字。提供与SRAM兼容的35ns的快速读/写周期，具有无限读写耐力，数据在超过20年的时间里始终是非易失性的。数据通过低压抑制电路在断电时自动保护，以防止电压超出规格的写入。是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。
MR4A08BCYS35采用符合RoHS的小尺寸TSOP2封装。封装兼容与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性ram产品。通过更换电池供电的SRAM提高可靠性，实现更简单、更高效的设计。在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。更多产品相关信息Everspin代理请洽英尚微。
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