发信人: chengyh (..), 信区: METech
标  题: 请教：版图里NMOS的n+ implant层和diffusion 层的区别
发信站: 水木社区 (Mon Aug  3 16:35:21 2009), 站内

diffusion 层（DIFF）定义了有源区，而n+ implant 层（NIMP）注入之后才形成有用的
有源区，它的面积比DIFF 要大。

这两层在制造上的先后顺序是怎样的？DIFF层扩散的是什么东西呢？

这样理解对不对：DIFF只是定义了有源区的范围，而NIMP定义了n+离子注入的范围，这
个范围肯定是要比DIFF定义的大，而DIFF并没有说要扩散什么东西。

diff就是栅氧，先生成diff，再锭积poly，再用n+ implant注入。。

是吗？那guard ring 的那一圈diff怎么解释？contact 必须打在diff上的。感觉diff是
在栅氧之后做的

diff在好几个STAGE都要用到
做ACTIVE的时候就要用，这时guard ring那圈也做好的

我的问题起初来源于butting contact。

附件中第一页给出了butting contact的一个例子，第二页中的layout我认为是错误的。
实践了之后发现按照附件第二页的样子画，DRC错误:如VSS处，NIMP 和non-butted pta
p 之间的距离必须大于0.14um。

我把DIFF层连在一起之后这个错误消失，也就是这时才真正形成butting contact。因此
得出结论：n+ implant 或 p+ implant 只有在 DIFF层定义处才是有用的，而butting
contact 连的时候必须要把DIFF相连。

欢迎讨论。

btw,有人有butting contact 在功率mos管上应用的资料吗

因为我没做过butting contact，所以我也不懂为什么contact需要butting
但是我不是很明白你说的“DIFF连在一起”是什么意思，我画layout是没有DIFF这一层的，只有N+和P+，DIFF是这两层运算得来的。还是不太明白你的问题是什么。

butting contact 是进一步减小latchup的风险采取的一种contact 方式。如，对于NMO
S接到地的源的contact（打在n+上）和接衬底的contact（打在p+上）紧挨在一起，这样
横向寄生NPN管的基极和发射极间的电阻变得很小。

我指的DIFF层在附件中是指红色的那一层，工艺是TSMC.18um。

可能你的工艺套件层定义的不一样，N+直接就表示了n+ implant 加上diffusion了。而
我用的这个要两层相加才能定义N+ 有源区。