发信人: chengyh (..), 信区: METech
标  题: 请教：版图里NMOS的n+ implant层和diffusion 层的区别
发信站: 水木社区 (Mon Aug  3 16:35:21 2009), 站内

diffusion 层（DIFF）定义了有源区，而n+ implant 层（NIMP）注入之后才形成有用的
有源区，它的面积比DIFF 要大。

这两层在制造上的先后顺序是怎样的？DIFF层扩散的是什么东西呢？

这样理解对不对：DIFF