等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等到离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），顺流等离子体（downstream），直接等离子体（direction plasma）。

等离子刻蚀的应用

等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。等离子刻蚀机的典型应用包括：

等离子体清除浮渣

光阻材料剥离

表面处理

各向异性和各向同性失效分析应用。

http://s3/mw690/002L680sgy6K4HTsH399f&690

等离子刻蚀反应

材料改性  包装清洗  钝化层蚀刻  聚亚酰胺蚀刻  增强粘接力  生物医学应用

聚合反应  混合物清洗   预结合清洗

构造与工作原理

等离子刻蚀机的组成一般包括等离子发生器（工业上常用RF激发法），真空室，和电极。[1]

　　其工作原理是用等离子体中的自由基（radical）去轰击（bombard）或溅射（sputter）被刻蚀材料的表面分子，形成易挥发物质，从而实现刻蚀的目的。也有部分等离子刻蚀机采用反应离子刻蚀技术（Reactive Ion Etching

湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点

1. 硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）；

2. 下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）；

3. 传动滚抽易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）；

4. 成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。

此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势：无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式：

直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果.

http://s2/mw690/002L680sgy6K4I9pvXz31&690
                                                      各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀(3张) 

定向模式——需要非等向性刻蚀（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。

下游模式——基片可以放置在不带电托架上，以便取得微小的等离子体效果。

定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时，特制的电极配置可以提供