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可控硅模块，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。那么如何分析可控硅模块被击穿的原因呢？下面就跟随我们一起了解一下吧：

　　1、过热击穿

　　过热击穿是指在工作电流并不超过额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种热击穿的原因主要是可控硅模块的辅助散热装置的工作不良而引起的芯片温度过高导致击穿。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影响散热效果，如果您的机器上的某只可控硅模块经常击穿又找不到其他原因的话，就应该考虑在更换时连同散热器一齐更换。

　　2、过压击穿

　　过压击穿是击穿的主要原因之一，可控硅模块对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的很短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅模块击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的情况存在。

　　3、过流与过热击穿

　　其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅模块芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅模块额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过流（几百毫秒到几秒时间）一般是不会击穿的。

　　以上关于可控硅模块被击穿的原因就为大家介绍到这里了，希望以上的内容对大家有所帮助。如果您还想了解更多相关知识，请继续关注我们；同时也欢迎各界朋友来我公司参观考察。采购晶闸管欢迎访问西安瑞新阿里晶闸管旺铺（https://shop1359018606206.1688.com）

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