离子注入技术的优缺点

　　优点：

　　①可控性好。原则上各种元素均可成为掺杂元素，并可以达到常规方法所无法达到的掺杂浓度。对于那些常规方法不能掺杂的元素,离子注入技术也并不难实现。能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而适于制作极低的浓度和很浅的结深;

　　②纯净掺杂。离子注入是在真空系统中进行的,同时使用高分辨率的质量分析

　　器,保证掺杂离子具有极高的纯度;

　　③注入离子时衬底温度可自由选择。根据需要既可以在高温下掺杂，也可以在

　　室温或低温条件下掺杂。避免了高温过程带来的不利影响，如结的推移、热

　　缺陷、硅片的变形等;

　　④结面比较平坦;

　　⑤工艺灵活，可以穿透表面薄膜注入到下面的衬底中，也可以采用多种材料作掩蔽膜，如二氧化硅、氮化硅、金属膜或光刻胶等;

　　⑥均匀性和重复性好，可大面积均匀注入。离子注入系统中的束流扫描装置可

　　以保证在很大的面积上具有很高的掺杂均匀性;

　　⑦横向扩展小。离子注入的横向掺杂效应比扩散大大减少，有利于提高集成电

　　路的集成度、提高器件和集成电路的工作频率;

　　⑧可以用电的方法来控制离子束，因而易于实现自动控制，同时也易于实现无掩模的聚焦离子束技术;

　　缺点：

　　①离子注入将在硅片中产生大量晶格缺陷;

　　②离子注入难以获得很深的结深;

　　③离子注入的生产效率比扩散工艺低;

　　④离子注入设备系统复杂，操作需仔细且价格昂贵;

　　⑤高温会造成杂质再分布，增加结深以及横向掺杂效应;采购晶闸管欢迎访问西安瑞新阿里可控硅旺铺（https://shop1359018606206.1688.com/）