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60N10-ASEMI高压MOS管60N10

型号：60N10

品牌：ASEMI

封装：TO-263

最大漏源电流：60A

漏源击穿电压：100V

RDS（ON）Max：0.24Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管

工作结温：-55~150

60N10场效应管

60N10的电性参数：最大漏源电流60A；漏源击穿电压100V