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25N120-ASEMI高压MOS管25N120

型号：25N120

品牌：ASEMI

封装：TO-247

最大漏源电流：25A

漏源击穿电压：1200V

RDS（ON）Max：0.12Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55~150

备受欢迎的25N120 MOS管

  ASEMI品牌25N120是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了25N120的最大漏源电流25A，漏源击穿电压1200V.

•细节体现差距

25N120,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

25N120具体参数为：最大漏源电流：25A，漏源击穿电压：1200V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247