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8月9日，拜登政府头号政绩——美国芯片法案推出2周年之际，美国白宫发布了一个标题和行文都很浮夸的文件——《事实证明：《芯片与科学法案》颁布两年后，拜登-哈里斯政府将半导体供应链带回美国的政策取得值得庆祝的历史性成就，它创造了就业，支持了创新，而且保障了国家安全》。

这篇标题冗长的文章全方位赞美了芯片法案取得的“巨大”成绩，并大胆预测2032年美国将生产占全球近30%的尖端芯片，尽管目前美国制造的尖端芯片为0。

该文件透露芯片法案已经初步落实超过 300 亿美元的资助资金，有15家公司获得资助；提供了258亿美元贷款，涉及23家公司。其中英特尔获资助85亿美元；台积电获资助66亿美元；三星获资助64亿美元；美光获资助61亿美元；德州仪器获资助16亿美元；格芯获资助15亿美元；SK海力士获资助4.5亿美元。芯片法案其余资金将在2024年底前分配完备。

白宫用热切的笔触对此加以评点，“两年前，美国不能生产世界上最先进的芯片。现在，美国同时拥有世界上五家领先的逻辑、内存先进制造和封装企业，而其它任何经济体都没有同时拥有两家以上此类先进企业。”

建厂是不是就等于获得先进制造能力姑且不论，白宫没有说出口的是，英特尔、台积电等新厂大都建在摇摆州（有些还处于缺水的荒凉西部），为民主党的竞选大业发挥重大作用。

差不多在这篇白宫“雄文”出台的同时，8月3日美国本土主要芯片制造企业，因为成本和效率其造芯计划面临巨额亏损，不得不大幅裁员，公司股价单日下跌26%。这或许就是美国造芯现状的真实写照，一边芯片制造业正在艰难转型，一边政府撒钱轰轰烈烈建厂。

芯片法案虽然还处于起步阶段，但钱已经基本撒出去了，这两年美国造芯的优点缺点也已经充分显露，所以现在我们有足够多的信息来推演美国造芯大业能否真的再次伟大起来。

一、成本高地

美国芯片法案提出的目标是在2030年前，将美国本土先进产能提高到 20%。估计白宫也意识到这个目标无法按时完成，转而提出2032年将先进产能提高到30%——以一个更宏大的目标，换取更长的截止时间，来减弱无法按时兑现的尴尬。8年的时光，摩尔定律不舍昼夜，奔腾不息，到那时芯片世界早已沧海桑田，前朝建的厂还能满足后朝领先全球的执念？

这两年里英特尔、台积电、三星的量产日期一再延迟，英特尔俄亥俄州的工厂量产日期从2025年延迟到2026年，而后又放宽到3到5年后投产。台积电三个工厂分别延迟到2025 年、2028 年、2030 年投产，三星也延迟到2026年。

量产日期不断延后的真相是成本高企，目前这些项目的建厂成本远远高于预算。英特尔最初预计亚利桑那州工厂的成本约为 100 亿美元。但一年多后，英特尔透露实际成本接近 300 亿美元，俄亥俄州的工厂也从100亿美元上涨到280亿美元。台积电的工厂从最初的120亿美元提高400亿美元，三星工厂从170亿美元增加到了250亿美元。台积电方面表示美国工厂的成本比在中国台湾成本至少高4倍。

美国建厂的成本飙升来自多个方面，建筑工人和工程师短缺，人力成本上升，建筑材料、水电成本上涨，环保和建筑法规严苛，审批流程复杂冗长，这些都增加了财务成本和时间成本。

成本是一个国家竞争力的综合体现，涵盖了土地、基建、物流、上下游产业合作效率等要素，也就是说系统性成本高企与美国的文化、政治这些根深蒂固的因素密切相关，很难短期改变。所以这些项目还会不断遇到问题，现在一次次延期也可能不是最后一次延期。

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