（1）结电容C_j

（2）扩散电容C_D

由于电容C_j 、C_D的充放电，使二极管的导通和截止发生延时，影响二极管的动态特性。

势垒电容（barrier capacitance）又称为结电容

在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容

扩散电容（Diffusion capacitance）是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应。（pn结扩散电容是来自于非平衡少数载流子（简称非平衡少子）在pn结两边的中性区内的电荷存储所造成的电容效应（因为在中性扩散区内存储有等量的非平衡电子和非平衡空穴的电荷，它们的数量受到结电压控制）。这种由于注入载流子存储电荷随着电 压变化所产生的扩散电容将随正向电压而按指数式增大；扩散电容也与直流偏压有关（也是一种非线性电容），也将随着直流偏压的增大而指数式增大，故扩散电容在正向偏压下比较大。）

势垒电容是相应于多数载流子电荷变化的一种电容效应，因此势垒电容不管是在低频、还是高频下都将起到很大的作用

扩散电容是相应于少数载流子电荷变化的一种电容效应，故在高频下不起作用