MLCC制作(TDK)
(2022-05-03 09:24:25)
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教育 |
美国专利6226172是日本TDK公司申请的,内容涉及MLCC的制作,这里摘译部分内容,有兴趣深入了解的朋友请查阅原文。
例1
瓷粉主成分材料的粒径0.1-1微米,镁和锰的钛酸盐和氧化物可用作主成分,进一步,(Ba0.6Ca0.4)SiO3用作副成分,注:(Ba0.6Ca0.4)SiO3的制备方法是湿法研磨BaCO3、CaCO3和SiO2,用球磨机研磨16小时,干燥,烧结在1150摄氏度,然后再用球磨机湿法研磨100小时,然后干燥。
取100份wt的瓷粉,4.8份的亚克力树脂,40份的二氯甲烷,20份的乙酸乙酯,6份的矿油精,4份的丙酮,球磨形成瓷浆。
内电极浆料
取100份wt的镍粉,粒径0.2-0.8微米,40份的有机载体(8%的乙基纤维素、92%的丁基卡必醇),10份的丁基卡必醇,通过三辊轧机制浆。
内电极浆料
取100份wt的铜粉,粒径0.5微米,35份的有机载体(8%的乙基纤维素、92%的丁基卡必醇),7份的丁基卡必醇,通过三辊轧机制浆。
制作绿芯片
取上述瓷浆,涂覆到PET膜上,干燥,成为绿膜,取上述内电极浆料,丝网印刷到绿膜之上,干燥,将绿膜从PET带上剥离下来,然后,绿膜与保护绿膜(没有内电极的绿膜)一起叠片、压片、切片,成为绿芯片。
排胶
升温速率:15C/小时
最高温度:280C
保温时间:8小时
气氛:大气
烧结
升温速率:200C/小时
最高温度:1280-1340C
保温时间:2小时
降温速率:300C/小时
烧结气氛:湿氮气加氢气,氧分压10的-11次方
退火
保持温度:900C
保持时间:9小时
降温速率:300C/小时
退火气氛:湿氮气,氧分压10的-7次方。
注意:烧结和退火气氛中的湿气是35摄氏度的水产生的。
至此,生芯片变成熟芯片。
熟芯片经过喷砂,抛光、磨边,涂覆外电极,烧结在800C/10分钟,烧结气氛:湿氮气加氢气。然后就得到MLCC。通常外电极烧成厚度约10微米,内电极烧成厚度约2微米。