晶体的质量主要是指晶体的大小、形状和纯度。

    结晶过程包括晶核的形成和晶体的生成两个阶段。

两种速率：晶核形成的速率和晶体的成长速率。晶核形成的速率过大，溶液中会有大量晶核来不及长大，过程就结束了，所得到的结晶产品小而多，反之，结晶产品颗粒大而均匀，两者速率相近，所得到的结晶产品的粒度大小参差不一。

影响因素归纳为以下几点：

1．过饱和度的影响

过饱和度是结晶过程的推动力，是产生结晶产品的先决条件，也是影响结晶操作的最主要因素。过饱和度增高，一般使结晶生长速率增大，但同时会引起溶液粘度增加，结晶速率受阻。

1．冷却（蒸发）速度的影响

实现溶液过饱和的方法一般有三种：冷却、蒸发和化学反应。快速的冷却或蒸发将使溶液很快地达到过饱和状态，甚至直接穿过介稳区，能达到较高的过饱和度而得到大量的细小晶体；反之，缓慢冷却或蒸发，常得到很大的晶体。

2．晶种的影响

晶核的形成有两种情况，即初级成核和二次成核。初次成核的速率要比二次成核速率大得多，对过饱和度的变化非常敏感，成核速率很难控制，一般尽量避免发生初级成核。加入晶种，主要是控制晶核的数量以得到粒度大而均匀的结晶产品。注意控制温度，如果溶液温度过高，加入的晶种有可能部分或全部被溶化，而不能起到诱导成核的作用，温度较低，溶液中已自发产生大量细小晶体时，再加入晶种已不能起作用，通常在加入晶种时要轻微地搅动，使其均匀地分布在溶液中，得到高质量的结晶产品。

3．杂质的影响

存在某些微量杂质可影响结晶产品的质量。溶液中存在的杂质一般对晶核的形成有控制作用，对晶体的成长速率的影响较为复杂，有的杂质能抑制晶体的成长，有的能促进成长。

4．搅拌的影响

大多数结晶设备中都配有搅拌装置，搅拌能促进扩散和加速晶体生成，就注意搅拌的形式和搅拌的速度。如转速太快，会导致对晶体的机械破损加剧，影响产品的质量，转速太慢，则可能起不到搅拌的作用。