AEC-Q100标准解读之Wire Bond Shear and Wire Bond Pull(WBS&WBP)，Solderability (SD)，Physical Dimensions (PD)，Solder Ball Shear (SBS)及Lead Integrity(LI)

Wire Bond Shear and Wire Bond Pull(WBS&WBP)

参考标准： AEC Q100-001 AEC Q003  MIL-STD883 method 2011；

目的：评估器件bond 的完整性；

失效机制：材料和工艺的缺陷；

试验通过判断依据：推拉力值满足要求、 CPK >1.67；

实验室能力范围： 芯片级别的WBS&WBP都可以做；

试验条件：5颗芯片拉30根线。

Solderability (SD)

参考标准： JEDEC JESD22-B102 or JEDEC J-STD-002D ；

目的：评估器件的可焊性；

失效机制：材料或工艺的缺陷；

试验通过判断依据：>95% lead coverage； 

实验室能力范围： 芯片级别的SD都可以做；

Physical Dimensions (PD)

参考标准： JEDEC JESD22-B100 and B108 AEC Q003；

目的：评估器件尺寸的完整性；

失效机制：工艺不良；

试验通过判断依据：尺寸数据和符合POD要求、 CPK >1.67；

实验室能力范围： 芯片级别的PD都可以做；

需求确认：需要提供芯片POD

Solder Ball Shear (SBS)

参考标准： AEC Q100-001 AEC Q003  MIL-STD883 method 2011；

目的：评估ball 的完整性；

失效机制：材料或工艺的缺陷；

试验通过判断依据：推力值满足要求、 CPK >1.67；

实验室能力范围： 芯片级别的SBS都可以做；

5 balls from a min. of 10 devices

PC thermally (two 220oC reflow cycles) before integrity (mechanical) testing. Refer to J-STD- 020 for Pb-free reflow profiles to be used for this test.  

Lead Integrity(LI)

参考标准： JEDEC JESD22-B105；

目的：评估器件引脚的完整性；

失效机制：材料或工艺的缺陷；

试验通过判断依据：无断裂或裂纹；

实验室能力范围：芯片级别的LI都可以做；