AEC-Q100标准解读之Electrostatic Discharge Human Body Model (HBM)、Electrostatic Discharge Charged Device Model(CDM)、Latch-Up(LU)

Electrostatic Discharge Human Body Model (HBM)

参考标准： AEC Q100-002；

目的：验证器件对人体静电的抵抗能力；

试验通过判断依据：测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%，芯片验证完成后FT常、高温测试pass；

实验室能力范围：能满足大部分类型芯片的HBM需求，有MK2平台，可提供768个通道；

HBM执行电压至少包含500V/1000V/2000V;

样品数量至少为重复3颗(可以依据电压拆分为9颗或者依据放电组合更多拆分为3n颗)；

试验前后在室温和高温分别进行电测。

器件级别<2000V HBM的情况需要使用者特别承认（允许标记最大Passed Level出具Q100报告）

需求确认：需提供芯片data sheet。

Electrostatic Discharge Charged Device Model(CDM)

参考标准： AEC Q100-011；

目的：验证器件充放电的抗绕度；

试验通过判断依据：测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%，芯片验证完成后FT常、高温测试pass；

实验室能力范围：能满足大部分类型芯片的CDM需求；

CDM执行电压至少包含250V/500V/750V(750V仅针对Corner pins);

 样品数量至少为重复3颗(可以依据电压拆分为9颗或者依据放电组合更多拆分为3n颗)；

试验前后在室温和高温分别进行电测。

器件级别<750V边角引脚或（和）<500V其他引脚的CDM情况需要使用者特别承认（允许标记最大Passed Level出具Q100报告）

需求确认：需提供芯片data sheet。

Latch-Up(LU)

参考标准： AEC Q100-004；

目的：验证器件可靠性的一个潜在的严重问题，客观、准确地评价器件的抗闩锁效应能力，保证器件的质量；

试验通过判断依据：测试前后IC工作电流改变量不超过10毫安或者1.4倍（二者相比取大） ，芯片验证完成后FT常、高温测试pass；

实验室能力范围：能满足大部分类型芯片的LU需求，目前有MK2平台，可提供768个通道；

测试依据JEDE78 Waveform，Vcc=Vccmax；

温度参考：

Grade 0: +150°C

Grade 1: +125°C

Grade 2: +105°C

Grade 3: +85°C

试验前后在室温和高温分别进行电测。

需求确认：需要提供芯片data sheet。