在MEMS代工中，时常会遇到光刻加工的需求。而光刻是作为功能齐全的模块的一部分执行的，该模块包括晶片表面准备，光致抗蚀剂沉积，掩模和晶片的对准，曝光，显影以及适当的抗蚀剂调节。光刻工艺步骤需要按顺序进行表征，以确保模块末端的剩余抗蚀剂是掩模的最佳图像，并具有所需的侧壁轮廓。

 MEMS代工中，在光刻模块中找到的标准步骤依次是：脱水烘烤，HMDS底涂，抗蚀剂旋转/喷涂，软烘烤，对准，曝光，后曝光烘烤，显影硬烘烤和脱渣。并非所有的光刻模块都将包含所有工艺步骤。为了完整起见，还包括对过程步骤的简要说明。

·脱水烘烤-使晶片脱水以帮助抵抗粘附。

·HMDS底漆-用粘合促进剂涂覆晶片表面。并非所有表面都是必需的。

·抗蚀剂旋转/喷涂-通过旋转或喷涂在抗蚀剂上涂覆晶片。通常需要一件均匀的外套。

·软烘烤-去除抗蚀剂中的某些溶剂，可能会导致抗蚀剂质量（和厚度）的大量损失。使抵抗力更加粘稠。

·对齐-将掩模上的图案与晶圆上的特征对齐。

·曝光-掩模图像在抗蚀剂上的投影会引起选择性的化学性质变化。

·曝光后烘烤-烘烤抗蚀剂以驱除更多的溶剂。使抗蚀剂对蚀刻剂（显影剂除外）更具抵抗力。

·显影-曝光后有选择地去除抗蚀剂（如果抗蚀剂为正，则曝光的抗蚀剂；如果抗蚀剂为正，则未曝光的抗蚀剂）。通常是湿法工艺（尽管存在干法工艺）。

·硬烘烤-从抗蚀剂上清除掉大部分剩余的溶剂。

·脱胶-去除可能堵塞图案中开放区域的抗蚀剂浮渣薄层，有助于打开角落。