虽然这三个人的贡献很突出，氮化物领域出了诺贝尔奖多少有些意外。这里按照我的理解，简单介绍下氮化物这个研究领域和三个人的成就。

首先要说明为什么氮化物晶体材料，GaN,InN,AlN以及他们的混合晶体是很重要的发光材料。由下面的禁带发光光谱（wavelength）和晶格（lattice）的图表可以看出，氮化物所覆盖的发光光谱范围是很宽的，是宽禁带的半导体材料，尤其是其混合晶体InGaN可以覆盖整个可见光光谱而AlGaN可以覆盖到深紫外光谱区，这在半导体光电材料中是具有突出的优势。发展相对成熟的III-V族混合晶体例如GaAs，InP等其禁带带宽过小，远远达不到覆盖所有可见光的，尤其是达不到覆盖蓝光光谱的能力。虽然我们可以长出高质量的III-V晶体和器件，但是其永远不能覆盖短波长可见光谱，也就是永远不能用作白光LED的发光材料。一旦我们可以随意的制备氮化物晶体，那么覆盖整个可见光谱的半导体发光将会变的唾手可得。而半