加载中…NP2302FVR-J-GSOT-2320VN通道增强模式MOSFET
(2022-11-17 13:29:34)
标签：
np2302fvrn通道mosfet |
概述
NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度电池的超低电阻设计。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
一般特征
VDS=20V，ID=2A
RDS(ON)(Typ.)=50mΩ@VGS =4.5V
RDS(ON)(Typ.)=68mΩ
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包
应用
PWM应用程序的
负载开关
封装
SOT-23
NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度电池的超低电阻设计。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
一般特征
VDS=20V，ID=2A
RDS(ON)(Typ.)=50mΩ
RDS(ON)(Typ.)=68mΩ
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包
应用
PWM应用程序的
负载开关
封装
SOT-23
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