加载中…7-19蒸笼独运，巧镀硒铟
(2025-08-25 08:57:23)
蒸笼独运，巧镀硒铟
7月18日，北京大学和中国人民大学科学家团队，匠心独运，巧夺天工，首创“蒸笼”方法，成功生长出高性能晶体管材料——硒化铟晶体管，一举实现了合成半导体领域的重大突破！“斫取青光写楚辞，腻香春粉黑离离。无情有恨何人见？露压烟啼千万枝。”
硒化铟（InSe）作为二维层状半导体，因电子迁移率高、导热性能优异，被视为替代硅基芯片的“黄金半导体”。然其大规模应用，长期受困于原子比例控制之壁——硒（Se）与铟（In）需严格保持1:1原子比，如同天秤两端，不容毫厘之差。传统开放容器加热法，因两者蒸发速率悬殊，如同风中柳絮与磐石，难以共舞，终致晶体质量难臻上乘。
科研团队慧眼独具，妙法天成`，将非晶态硒化铟薄膜置于密闭不锈钢容器中，固态铟放入精巧卡槽。加热后，铟熔化为液态金属密封圈，浑然天成，铸就一方类“蒸笼”的密闭乾坤。蒸汽态铟原子如春日和风细雨，均匀渗透至薄膜边缘，形成富铟液态边界，悄然驱动非晶薄膜重结晶为高质量单晶结构。“润物细无声，随风潜入夜。”凭借此“蒸笼”妙法，团队成功实现直径达5厘米的硒化铟晶圆制备，并构建出高密度晶体管阵列，为未来芯片级集成铺就坚实基石。《科学》杂志审稿人盛赞其为“晶体生长领域的重要突破”，首次攻克了二维半导体晶圆级集成这一全球性难题！为后摩尔时代芯片发展提供了极具潜力的硅替代方案，尤其适用于要求高算力、低功耗的AI推理、边缘计算等场景，如同为新锐的智能骏马配上了轻盈而强劲的黄金鞍辔。尤为可贵的是，“蒸笼”法设备至简至朴，成本可控，易于对接现有芯片制造流程，宛若将一枚温润的古玉，自然地镶嵌于现代科技的华冠之上。当然，目前晶圆直径（5厘米）距主流硅晶圆（12英寸）仍有星汉之遥，需进一步扩大生产规模，以期积跬步而至千里。然此役，已将硒化铟从实验室的珍奇，华丽转身为可望工程应用的芯片基材，其性能参数已露峥嵘，力压群芳，展现出碾压现有硅基技术的磅礴潜力。
这不仅是中国在尖端半导体领域“换道超车”的里程碑式壮举，更为全球后摩尔定律时代的信息技术革新注入了澎湃新动能！
科研的征途“冰塞川”、“雪满山”，下一步需凝心聚力，聚焦晶圆尺寸扩大与产线适配，精雕细琢，推动产业化进程。展望未来，那载着东方智慧的“蒸笼”，正升腾起驱动未来的澎湃动力，必将引领一场静默而深远的材料革命，在信息时代的苍穹下，闪耀出属于中国创新的璀璨星芒！
7月18日，北京大学和中国人民大学科学家团队，匠心独运，巧夺天工，首创“蒸笼”方法，成功生长出高性能晶体管材料——硒化铟晶体管，一举实现了合成半导体领域的重大突破！“斫取青光写楚辞，腻香春粉黑离离。无情有恨何人见？露压烟啼千万枝。”
硒化铟（InSe）作为二维层状半导体，因电子迁移率高、导热性能优异，被视为替代硅基芯片的“黄金半导体”。然其大规模应用，长期受困于原子比例控制之壁——硒（Se）与铟（In）需严格保持1:1原子比，如同天秤两端，不容毫厘之差。传统开放容器加热法，因两者蒸发速率悬殊，如同风中柳絮与磐石，难以共舞，终致晶体质量难臻上乘。
科研团队慧眼独具，妙法天成`，将非晶态硒化铟薄膜置于密闭不锈钢容器中，固态铟放入精巧卡槽。加热后，铟熔化为液态金属密封圈，浑然天成，铸就一方类“蒸笼”的密闭乾坤。蒸汽态铟原子如春日和风细雨，均匀渗透至薄膜边缘，形成富铟液态边界，悄然驱动非晶薄膜重结晶为高质量单晶结构。“润物细无声，随风潜入夜。”凭借此“蒸笼”妙法，团队成功实现直径达5厘米的硒化铟晶圆制备，并构建出高密度晶体管阵列，为未来芯片级集成铺就坚实基石。《科学》杂志审稿人盛赞其为“晶体生长领域的重要突破”，首次攻克了二维半导体晶圆级集成这一全球性难题！为后摩尔时代芯片发展提供了极具潜力的硅替代方案，尤其适用于要求高算力、低功耗的AI推理、边缘计算等场景，如同为新锐的智能骏马配上了轻盈而强劲的黄金鞍辔。尤为可贵的是，“蒸笼”法设备至简至朴，成本可控，易于对接现有芯片制造流程，宛若将一枚温润的古玉，自然地镶嵌于现代科技的华冠之上。当然，目前晶圆直径（5厘米）距主流硅晶圆（12英寸）仍有星汉之遥，需进一步扩大生产规模，以期积跬步而至千里。然此役，已将硒化铟从实验室的珍奇，华丽转身为可望工程应用的芯片基材，其性能参数已露峥嵘，力压群芳，展现出碾压现有硅基技术的磅礴潜力。
这不仅是中国在尖端半导体领域“换道超车”的里程碑式壮举，更为全球后摩尔定律时代的信息技术革新注入了澎湃新动能！
科研的征途“冰塞川”、“雪满山”，下一步需凝心聚力，聚焦晶圆尺寸扩大与产线适配，精雕细琢，推动产业化进程。展望未来，那载着东方智慧的“蒸笼”，正升腾起驱动未来的澎湃动力，必将引领一场静默而深远的材料革命，在信息时代的苍穹下，闪耀出属于中国创新的璀璨星芒！
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