1.突触后电位 分为兴奋性和抑制性突触后电位。  
(1)兴奋性突触后电位：突触后膜电位在递质作用下发生去极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性升高，这种电位变化称为兴奋性突触后电位。是一个局部兴奋。其机制是：兴奋性递质作用于突触后膜上的受体，导致膜上Na + 或Ca 2+ 通道开放．产生内向电流，使局部膜发生去极化。  

(2)抑制性突触后电位：突触后膜电位在递质作用下产生超极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为抑制性突触后电位。产生机制：某种抑制性递质作用于突触后膜，使膜上Cl - 通道开放，Cl - 内流，使膜电位发生超极化。  

2．动作电位在突触后神经元的产生 突触后膜上电位改变取决于同时产生的EPSP和IPSP的代数和。当突触后神经元的膜电位去极化达到阈电位水平，就可引发动作电位

                                         神经系统查体

http://yixue.koolearn.com/lc/lcyx/sjjsxt/