欧姆接触与肖特基接触

     金属与半导体相接触，由于要求统一费米能级，于是在金属-半导体的界面附近，能带发生弯曲，形成载流子积累层。如果相对于该器件的体电阻，接触电阻是很小时，就称为欧姆接触；如果形成了载流子的耗尽层，那么在金属-半导体界面处就产生了势垒，该势垒决定了器件的电流运输和电容特性，这样的接触称为肖特基接触[1]。

       在制备过程中，一般来说想要使接触呈现出欧姆接触，需要在扩散工艺中对半导体的表面层进行重掺杂，使其能形成很薄的金属-半导体接触势垒。这样一来，电子就可以通过隧道效应穿过势垒，可以有效的降低接触电阻。肖特基势垒接触的工艺则更为复杂，不仅于半导体的晶体结构，金属种类，功函数相关，而且还有许多实际因素的影响，如表面态，镜像力，隧道效应，并且对于表面的化学处理工艺，退火温度等因素的影响也比较大[1]。

来源：《基于空间电荷限制电流效应与肖特基_省略_触的立方氮化硼单晶整流特性的研究》P14，吉林大学硕士学位论文，胡易轩。

[1] ze S M. Kwok k.Ng. 半导体器件物理（第三版）. 耿莉 张瑞智译[M]，西安：西安交通大学出版社，2008：103-146.