高纯水中TOC主要来源于：

　　1)原水：地表水中TOC含量很高，一般在1~2mg/L或更高，难于用其制备TOC<50μg/L的纯水。

　　2)脱气塔：许多地区的原水含HCO3或CO2高，必须进行脱气处理，脱气塔多数与大气接触，大气中的TOC含量高。

　　3)阴离子交换树脂污染：国内均采用复床或混床系统脱盐，阴离子交换树脂本身会使TOC浓度增加。

　　4)PVC焊接：大部分水系统管材都采用PVC材料，用焊条焊接，PVC材料及焊料均会引进TOC污染。

　　在edi超纯水处理设备运行中，采取一些措施后能使水中TOC含量降低，如用TFCRO膜(薄层复合膜)，TOC浓度由800μg/L下降到350μg/L，将PVC管道改为聚偏氟乙烯(PVDF)管道，TOC浓度由350μg/L下降到150μg/L。

　　用TFC ESPA超低压反渗透膜作为终端反渗透器，可降低TOC浓度，若进水TOC浓度为20μg/L，则出水的TOC浓度能降低到10μg/L。

　　用EDI也能降低部分TOC浓度，当EDI进水中的TOC浓度为100~300μg/L时，EDI可将70%~80%的TOC氧化，20~30%的TOC可扩散到EDI的浓室而被去除，只有0~5%的TOC残留在EDI的产品水中。

　　以上方法虽然可以降低高纯水中的TOC浓度，但都难将TOC浓度降低到很低的水平，难以满足超大规模集成电路用水的要求。而且在制备高纯水的后处理阶段，通常都不宜采用投加氧化剂或催化剂的方法，因为投加的氧化剂或催化剂在后处理阶段更难去除，反而影响高纯水的水质，185nmUV是降低高纯水中TOC浓度的一种新技术，在无需氧化剂或催化剂的情况下，就可以直接将TOC浓度降低到电子工业用水的要求。