代码和数据整合xSPISTTMRAM应用场景_英尚微电子

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代码和数据整合xSPISTTMRAM应用场景

(2024-10-25 17:07:38)

标签：

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mram

非易失性存储器

分类： EVERSPIN存储器MRAM

Everspin xSPI STTMRAM在代码和数据整合的应用场景中，应用程序代码和少量数据存储在同一个内存芯片中。这有时需要满足严格的成本和空间(如物理板空间)要求。代码在启动时加载到RAM中。文件系统可用于存储数据，也可能用于存储固件，但经常会使用原始访问。由于NORflash成本低、尺寸小，因此通常用于此目的。

对于只读或以读取为中心的工作负载，这种设计非常合适。但是，由于写入性能差和写入能耗高，NOR闪存通常不适合中等写入工作负载。NAND闪存也可用于提高写入性能，但由于坏块和软错误管理，它会带来额外的复杂性。另一个问题是耐力。虽然大多数应用永远不会接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但保持力会随着单元磨损而显著下降。根据未磨损设备的典型10年规格，10K循环后，保留时间可能会降至仅1年。如果固件映像以磨损块结束(如果使用了适当的磨损均衡，这可能会发生)，这可能会成为一个问题。

Everspin xSPI STTMRAM封装8DFN，容量高达64Mb，非常适合这种特殊的使用情形。它具有极高的写入速度、低写入能耗和几乎无限的写入耐久性。截至目前，NOR flash仍然比MRAM有容量优势，但大型NOR芯片并不便宜，没有迹象表明MRAM无法扩大规模和成本的综合水平。样品联系代理商英尚微电子。

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