QuadSPIMRAM非易失性存储芯片MR10Q010_英尚微电子

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QuadSPIMRAM非易失性存储芯片MR10Q010

(2023-12-20 17:02:52)

标签：

mram

everspin

quadspimram

mr10q010

分类： EVERSPIN存储器MRAM

非易失性存储芯片MR10Q010在四SPI模式下的四个I/O允许非常快速的读取和写入，使其成为下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器中传统并行数据总线接口的一种有吸引力的替代方案。使用Everspin的专利MRAM技术，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。

MR10Q010 Quad SPI MRAM被组织为8位的131072个字，标准串行外设接口（SPI）、四路SPI和QPI模式支持高达104MHz的时钟速率。在所有三种模式下，读取命令都支持XIP操作。读写速度为52 MB/秒；使用两用引脚的四路I/O，以保持低引脚数；可在标准单SPI模式和高速四SPI模式下工作；具有四路地址输入和四路I/O的快速四路读写；数据是非易失性的，保留期超过20年，断电时的自动数据保护，具有无限制的写入续航能力，低电流睡眠模式，篡改检测功能将检测来自外部磁场的可能数据修改。支持四外设接口（QPI）模式，以提高就地执行（XIP）操作的系统性能。

Everspin MR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。Everspin代理英尚微电子提供产品相关技术支持及应用解决方案。

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