加载中…
个人资料
  • 博客等级:
  • 博客积分:
  • 博客访问:
  • 关注人气:
  • 获赠金笔:0支
  • 赠出金笔:0支
  • 荣誉徽章:
正文 字体大小:

汽车电子MRAM非易失性解决方案

(2023-10-11 15:10:04)
标签:

mram

s3r4016v1m

分类: EVERSPIN存储器MRAM
    随着汽车的电子化,对满足汽车恶劣驾驶环境、快速耐用的非易失性解决方案的需求正在逐渐增加。MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性,是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器,最为理想。

汽车电子MRAM非易失性解决方案

 
    MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是汽车应用的理想选择存储芯片,MRAM具有快速且不易失的特点。实时监控的传感器数据可以实时写入,而不需要负载均衡或ECC开销。
 
    例如S3R4016V1M 4Mbit的STT-MRAM存储芯片,MR2A16A提供与SRAM兼容的70ns读/写时序,具有无限的续航能力。数据在超过10年的时间内始终是非易失性的。通过低电压抑制电路在断电时自动保护数据,以防止电压超出规格时写入。
 
    NETSOL STT-MRAM产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序,因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。可以取代低功耗SRAM、FeRAM或nvSRAM,具有相同的功能和非易失性。代理英尚微电子支持提供样品测试及产品应用解决方案。

0

阅读 收藏 喜欢 打印举报/Report
  

新浪BLOG意见反馈留言板 欢迎批评指正

新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 产品答疑

新浪公司 版权所有