加载中…Netsol半导体4Mb异步快速SRAM-S6R4016W1A-UI10
(2022-08-08 15:26:28)
标签：
sram低功耗sramnetsols6r4016w1a-ui10 |
分类： SRAM存储器 |
Netsol是一家位于韩国的无晶圆存储器半导体设计公司，成立于
2010 年。开发和销售具有高标准质量和可靠性的非商品存储器产品。目前的产品是异步快速 SRAM、低功耗SRAM、同步
SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND
闪存。主要客户群是工业、商业和通信，我们的高速、低延迟和低功耗内存设计技术得到认可。
S6R4016W1A-UI10是4,194,304位高速静态随机存取存储器SRAM，按16位组织为256K字。 最大快速访问时间10ns。使用16条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，该引脚的运行速度比读取周期中的地址访问时间快。而允许通过数据字节控制（UB、LB）来访问低字节和高字节。该器件采用先进的 CMOS 工艺、基于 6-TR 的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。采用 400mil 44 引脚 TSOP2 封装。更多产品信息洽谈官方代理英尚微电子。
快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。这些存储器通常应用于老式系统中，且功耗较高。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。
S6R4016W1A-UI10是4,194,304位高速静态随机存取存储器SRAM，按16位组织为256K字。 最大快速访问时间10ns。使用16条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，该引脚的运行速度比读取周期中的地址访问时间快。而允许通过数据字节控制（UB、LB）来访问低字节和高字节。该器件采用先进的 CMOS 工艺、基于 6-TR 的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。采用 400mil 44 引脚 TSOP2 封装。更多产品信息洽谈官方代理英尚微电子。
快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。这些存储器通常应用于老式系统中，且功耗较高。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。
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