加载中…NV-SRAM在数据记录应用中优于现有存储器
(2022-06-09 16:40:36)
标签：
nv-sram存储器非易失性sramsram |
分类： SRAM存储器 |
NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）是一种独立的非易失性存储器，业界最快的
NV-SRAM，具有无限的耐用性。能够在断电时立即捕获 SRAM
数据的副本并将其保存到非易失性存储器中，并允许在不消耗电力的情况下调用数据。非常适合需要快速写入速度、高耐用性和即时非易失性的高性能可编程逻辑控制器
(PLC)、智能仪表和网络路由器等数据记录应用。
NV-SRAM的主要特征
快速访问-以20ns的速度执行随机访问读写
无限耐力-提供无限的写入和读取
节省空间-与BBSRAM相比占用更小的电路板空间
耐辐射-不受辐射引起的软错误的影响
NV-SRAM产品与EEPROM和BBSRAM（电池支持SRAM或BatRAM）解决方案相比，其消耗的有效电流更少。与电池支持的解决方案不同，NV-SRAM存储器不需要外部电池来保持电量。因此NV-SRAM适用于智能电表等数据记录应用。无限耐用性和即时非易失性确保NV-SRAM在多个数据记录应用中优于现有存储器（如EEPROM和BBSRAM）。
NV-SRAM的主要特征
快速访问-以20ns的速度执行随机访问读写
无限耐力-提供无限的写入和读取
节省空间-与BBSRAM相比占用更小的电路板空间
耐辐射-不受辐射引起的软错误的影响
NV-SRAM产品与EEPROM和BBSRAM（电池支持SRAM或BatRAM）解决方案相比，其消耗的有效电流更少。与电池支持的解决方案不同，NV-SRAM存储器不需要外部电池来保持电量。因此NV-SRAM适用于智能电表等数据记录应用。无限耐用性和即时非易失性确保NV-SRAM在多个数据记录应用中优于现有存储器（如EEPROM和BBSRAM）。
| 特征 | 非静态SRAM | BBSRAM | EEPROM |
| 密度 | 中等偏上 | 中等偏上 | 低 中 |
| 耐力 | 无穷 | 有限 | 低 |
| 保留 | 高的 | 低 | 中等 |
| 附加电池 | NO | YES | NO |
| 写时间 | 快速 | 中等 | 减缓 |
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