加载中…EMI508NF16VM-10I低功耗SRAM芯片PIN2PIN替代IS61WV10248BLL-10TLI
(2022-03-29 16:57:56)
标签：
emi508nl16vm-55i国产sramsramis61wv10248bll |
分类： SRAM存储器 |
快速低功耗异步SRAM这些器件通常在低于25ns
的区域内运行。它们通常用于缓冲区和高速缓存应用程序。伟凌创芯提供的快速SRAM，以提供将快速异步 SRAM
的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式相结合的设备。
IS61WV10248BLL-10TLI是一款容量8M，位宽为1Mb*8bit的高速率低功耗静态随机存储器。采用高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能、低功耗的器件。使用此款SRAM芯片的片选引脚和输出使能引脚，可以简单实现存储器扩展。
我司英尚微介绍一款可用于替换IS61WV10248BLL-10TLI的国产SRAM芯片，国产SRAM芯片厂家伟凌创芯（EMI）EMI508NL16VM-55I采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持低数据保留电压1.5V(Min.)，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。容量为8Mbit，位宽512K*16,电压2.7V~3.6V，支持工业温度范围和芯片级封装，以实现系统设计的用户灵活性。采用标准44TSOP2封装形式。代理商英尚微电子提供免费样品测试及技术支持。
安徽伟凌创芯（EMI）公司是专注存储SRAM/PSRAM芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售的坞无晶圆半导体公司。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
IS61WV10248BLL-10TLI是一款容量8M，位宽为1Mb*8bit的高速率低功耗静态随机存储器。采用高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能、低功耗的器件。使用此款SRAM芯片的片选引脚和输出使能引脚，可以简单实现存储器扩展。
我司英尚微介绍一款可用于替换IS61WV10248BLL-10TLI的国产SRAM芯片，国产SRAM芯片厂家伟凌创芯（EMI）EMI508NL16VM-55I采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持低数据保留电压1.5V(Min.)，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。容量为8Mbit，位宽512K*16,电压2.7V~3.6V，支持工业温度范围和芯片级封装，以实现系统设计的用户灵活性。采用标准44TSOP2封装形式。代理商英尚微电子提供免费样品测试及技术支持。
安徽伟凌创芯（EMI）公司是专注存储SRAM/PSRAM芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售的坞无晶圆半导体公司。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
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