沟道与源/漏极
    字符型模块公司【松山】讲述：MOSFET的载流子沟道所形成的界面，与源/漏极处于同一边，因此，载流子沟道形成后，会直接在连接至源/漏极，而TFT 的电子沟道是形成于半导体层下方的界面，而源/漏极却是在半导体层上方的界面，因此，TFT的电子沟道要连接到源/漏极，必须再经过半导体层厚度，载流子的流动需要经过这个低导电性的区域，因为影响TFT的导电特性。
    栅极与源/漏极的重叠
    深圳字符型模块小编告诉您：MOSFET的源/漏极掺杂，是利用栅极本身作为掩模，利用离子注入来形成，具有自动对准的效果，栅极与源/漏极之间并不会重叠。而TFT 的源/漏极，是另外用掩模来定义的。TFT 的导通特性包括了半导体层厚度本身造成的电阻，如果栅极与源/漏极之间没有重叠，会造成一段不会形成沟道的距离，形成很大的阻值使其充电能力大幅降低。因此，必须再栅极与源/漏极之间故意地形成重叠，来避免这样的情况。然而，这个故意形成的重叠 ，会使得栅极与源/漏极之间产生寄生电容，造成了许多TFT LCD驱动与设计上的特殊考量。