场效应晶体管分为结场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）。每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。

   FET的重要参数有：
1)夹断电压VP
 当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2)饱和漏电流IDSS
 在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3)击穿电压BVDS
 表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4)直流输入电阻RGS
 在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，JFET的RGS可达1000000000欧，而MOSFET的RGS可超过10000000000000欧。
5)低频跨导gm
 在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导:gm= △ID/△VGS。gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数,一般在十分之几至几mA/V的范围内。

　　漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导G.

file:///C:/DOCUME%7E1/ADMINI%7E1/LOCALS%7E1/Temp/moz-screenshot-7.jpg