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晶体片的研磨工序，是将切割好的晶体片进行再加工的一道工序，是保证晶体片制备质量的重要环节。此工序在加工晶体片的过程中，针对不同的晶体，有时要采用粗磨和精磨二道工序。为什么要这样做呢？这是因为，研磨晶体片时，研磨机的转数、压力和研磨料的颗粒度的大小的选择，对研磨效果是有着直接关系的。

磨料颗粒度的大小与研磨盘的速度（在压力一定的情况下）成正比，与研磨质量成反比。这就是说磨料的颗粒度大，对晶体片的磨削速度就快，也就是去层率高。但由于磨料的颗粒度大，就会对晶体片表面造成同等颗粒度大小的机械损伤层，晶体片表面粗糙质量下降。反之，我们选择小颗粒度的磨料，晶体片表面质量因其颗粒度小而得到改善。但晶体片的磨削量就会下降，去层率低。

要得到好的晶体片的片的质量，又能提高生产效率，就必须选择适当的磨料、合理的研磨。这样，就产生了粗磨和精磨二道工序的概念。粗磨工序时，选择合理的、较大颗粒的磨料，提高对晶体片的磨削速度，增加去层率是主要目的。精磨工序时，合理地选择较小颗粒的磨料，提高对晶体片的表面改善，为抛光工序做准备，是这一工序的主要目的。粗磨和精磨要在两个设备上隔离操作完成，以防磨料相互感染，这是要严格执行的。