实在是非常的惭愧，连续几天都没有写了。其间都不敢去上博客，看到阿娇同学的坚持，甚是汗颜。其实计划是很好的，本来是打算用这几天把第三篇文章写出来的，以前的老板从我离开金属所前就催着我写，一直拖到现在。所以想在这几天好好回顾下我在金属所用Technai F20以及学到的关于位错的TEM知识。哎，对自己很不满啊……

    最近一直在学习用FIB制备TEM样品。步骤上基本上了解了，所以今天就了解下FIB的原理吧。我所了解的是从几篇文章上学的。下面就分别具体写写吧。

（a）FIB instrument

    FIB的基本功能是：用高度聚焦的离子束来成像（imaging）和溅射（sputtering）。对于任何离子束来说：有效离子源尺寸越小，聚焦到一个点上的电流越大。通常现在所用的离子源为场离子化源，其离子源尺寸可小到5 nm。现在大部分的设备用的离子源是液态金属Ga。离子束一般通过聚光镜和物镜来聚焦，由于电磁透镜的聚焦强度直接与运动颗粒的电荷/质量比值相关，所以需要超级巨大的磁铁才能将离子束聚焦。这是很不实际的，所以离子束的聚焦就直接用静电场聚焦。（Question:为何电子束聚焦不用静电场？）离子束的尺寸和形状决定了基本的像分辨率和微加工的精度。一般来说，离子束直径越小，分辨率和加工精度越高。实际上，FIB成像的终极空间分辨率是由由溅射控制的signal/noise（信噪比）来控制的，一般是10 nm。

    FIB-SEM设备的样品台可以倾转52°，其中Ga离子束和电子束即成52°夹角，而这两种束汇聚的点为eucentric height。需要进行FIB成像或溅射的样品区域要设定成eucentric height。下图为FIB-SEM的示意图。

http://s1/bmiddle/a6622d5agc3cf85bbab70&690

（b）Ion-solid interactions

    当离子进入到固体中，离子动能与样品原子能量转换。可以有以下的形式：

    （1）离子反射和背散射（ion reflection and backscattering）

    （2）电子发射（electron emission）

    （3）电磁辐射（electromagnetic radiation）

    （4）原子溅射和离子发射（atomic sputtering and ion emission）

    （5）样品损坏（sample damage）

    （6）样品变热（sample heating）

通常，很容易出现Ga离子植入的现象，而且会造成样品表面20 nm的深度范围破坏。其相互作用的示意图如下图。http://s6/bmiddle/a6622d5agc3cfb174fb95&690
    后面的内容明天继续写，今天就此搁笔。不积跬步，无以至千里；不积小流，无以成江海。我打算下一周内完成第三篇文章，所以等下周结束时，把第10天里那个“明天下午补上”给替换掉。坚持，坚持！！！