今天汇成小编为大家介绍一下，离子真空镀膜机镀膜工艺过程，大家都知道我们身边漂亮的物件都离不开真空镀膜机镀上一次靓丽的膜层，但是并不知道它的镀膜工艺流程是怎样的。

离子镀膜工艺过程有以下几个步骤

一、真空条件：

（1）镀膜室的真空度抽至times;10-3Pa，以减少残余气体；

（2）气体管道必须严格保持密封；

（3）镀膜室器壁必须进行除气：可以烘烤加热，或在镀膜室壁上加负偏压，尽量减少杂质气体的含量。

二、烘烤加热：

烘烤加热除了使镀膜室壁除气，

对工件进行加热，以提高膜层的附着力。

三、离子轰击净化：

（1）氩离子轰击净化是许多镀膜技术提高膜基结合力的重要措施；

（2）采用电弧离子镀进行;主弧轰击;是提高膜基结合力的关键措施：由于金属离化率高，更多的金属离子以高能量到达工件表面，可以将污染物轰击下来；可以将基材原子溅射下来，露出基材原子的活性面；可以现成膜基的成分共混层。因此，在一磁控溅射为主的设备中都加柱弧源或矩形平面大弧源用于主弧轰击，然后用磁控溅射靶进行镀膜。

四、沉积氮化钛：

（1）沉积纯金属层：在工件基材和氮化钛等化合物层间沉积延展性好的纯金属层，有利于化合物层与基体间的结合性能。因此用主弧轰击的措施沉积纯金属层也是当前采用的重要方法，较高能量的离子对工件的轰击进一步加热。调整真空度和工件偏压值：一般氩气压力为（1m;3）times;10-1Pa，采用脉冲偏压电源的中档，工件施加（300m;500）V负偏压。

（2）沉积氮化钛等化合物膜：通入反应气，调整气体比例。工作气体总压强（3m;5）times;10-1Pa。采用偏压电源的低档，将偏压降至（100m;200）V，占空比调整到60%m;80%，可以加大偏流，提高镀膜室内的等离子体密度。有利于反应沉积、提高膜基结合力、细化膜层组织。

（3）配气：进行离子轰击和镀纯金属时采用氩气。沉积氮化钛等化合物膜时通入反应气体，如N2、C2H2、O2、CO2等。采用质量流量计向镀膜室通入选定比例的气体，以保证获得所需化合物涂层的化合比，保证涂层的色泽和性能。镀膜过程中，各气体的比例应该是不断变化的。在各段工艺的调整过程中，参数的调整应该是逐渐变化，以便使膜层组织、成分渐变，获得低度层或过渡层。

1、设备中的真空管道、静态密封零部件的结构形式，应符合GB/T6070的规定。

2、在低真空和高真空管道上及真空镀膜室上应安装真空测量规管，分别测量各部位的真空度。当发现电场对测量造成干扰时，应在测量口处安装电场屏蔽装置。

3、如果设备使用的主泵为扩散泵时，应在泵的进气口一侧装设有油蒸捕集阱

4、设备的镀膜室应设有观察窗，应设有挡板装置。观察窗应能观察到沉积源的工作情况以及其他关键部位。

5、离子镀沉积源的设计应尽可能提高镀膜过程中的离化率，提高镀膜材料的利用率，合理匹配沉积源的功率，合理布置沉积源在真空室体的位置。

6、合理布置加热装置，一般加热器结构布局应使被镀工件温升均匀一致。

7、工件架应与真空室体绝缘，工件架的设计应使工件膜层均匀。

8、离子真空镀膜设备一般应具有工件负偏压和离子轰击电源，离子轰击电源应具有抑制非正常放电装置，维持工作稳定。

9、真空室接不同电位的各部分间的绝缘电阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4.4.6

10、其他注意事项

1）环境温度：10-30oC

2）相对湿度：不大于75%

3）冷却水进水温度：不高于25oC

4）冷却水质：城市自来水或相当质量的水。

5）供电电源：380V三相50Hz或220V单相50Hz(由所用电器需要而定)；电压波动范围：342-399V或198-231V；频率波动范围：49-51Hz。

6）设备所需的压缩空气，液氮，冷水、热水等的压力、温度，消耗量等，均应在产品使用说明书中写明。

7）设备周围环境整洁，空气清洁，不应有引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。