Future Horizons 首席执行官 Malcolm Penn 在 IFS2024 预测会议上表示，下一个节点 2nm 已经推迟一年，并且可能还会再推迟一年。

　　Penn说：“下一个节点具有挑战性，他们将把一切都撕毁，然后重新开始，三个公司最优秀的人才正在努力解决这个问题。”

　　作为英特尔追赶的一部分，它希望今年能够量产其 2nm 版本(18A)，但台积电首席执行官 CC Wei 表示，它的密度不如台积电的 3nm 工艺。

　　Penn对人工智能现象持怀疑态度。“人工智能与其说是人工智能，不如说是人为抄袭，”他说。他淡化了AI芯片对整个半导体市场的影响。“价值 4000 亿美元的 1.6 ASAP IC 市场并不是由价值 40.000 美元的Nvidia GPU 主导的!” 他开玩笑说。

　　市场状况是相互矛盾的。单位需求远低于长期平均水平。Penn认为，平均售价正在急剧上升，但这种情况不会持续下去。资本支出猖獗，中国的巨额超支远远超出了其需求，而非中国的资本支出正在受到限制。

　　Penn认为，该行业面临的最大危险信号是，中国将把所有这些设备投入生产并涌入市场，导致贸易紧张局势显着加剧。

　　Penn指出，该行业基本上在结构上不稳定，因为无法匹配需求和供应。如果你建立预测能力，就会出现供应过剩。如果你建立订单产能，就会出现供应不足的情况。

　　“谨慎行事”是Penn给业界的建议。

　　台积催快2纳米，硝烟再起

　　全球晶圆代工先进制程战再起，台积电2纳米制程的竹科宝山P1晶圆厂，最快于4月份进行设备安装工程，并全新采用GAA(全栅极环绕)电晶体架构，预计2025年量产。此外，宝山P2与高雄厂预估于2025年加入扩产，中科二期也进行评估，向三星及英特尔新世代制程宣战。

　　半导体业者表示，全球晶圆代工先进制程持续推进，竞争对手三星提早于3纳米进入GAA架构，虽然良率表现未达标，然已具备量产经验;英特尔则预计今年RibbonFET架构之20A就将进入量产。因应竞争对手来势汹汹，台积电必须加紧脚步。「全环绕栅极(gate-all-around、简称GAA)」技术，是决定半导体处理能力在1年半～2年是否倍增的重要技术。

　　三星企图弯道超车，率先于3纳米芯片采用，是首家从传统FinFET转换的业者，然而良率稳定度不佳，客户并未买单，也让台积电3纳米底气十足;这也进一步显示，从2D走向3D的芯片设计，GAA电晶体架构难度陡升。

　　除外，英特尔追赶脚步也加快，据规划，今年上半年Intel 20A、下半年Intel 18A都将推出;不过外界预估，Intel 20A仅供英特尔自家产品使用，不会主动提供IFS客户。因此推断，英特尔会持续与台积电保持紧密的合作关系。

　　台积电基于稳健考量，于相同的制程技术与制造流程下，不用变动太多的生产工具，能有较具优势的成本结构;对客户而言，在先进制程的开发中，变更设计，都会是庞大的时间和经济成本。

　　供应链表示，台积电2纳米于去年底确定各式参数，特化气体、设备等供应商也大致确认，并逐步展开签约，今年4月将开始于宝山P1厂装机。相关设备业者透露，台积电制程推进如预期快速进行，推测宝山P2也会在今年有消息。

　　3纳米以下先进制程，未来也需要具备先进封装的chiplet概念、成为必要的解决方案。供应链更指出，台积电正采取革命性方法来建立智能SoIC和先进封装(InFO/CoWoS) 整合型智能工厂;其中，将配备独特的内部开发制造系统-「SiView Plus」的混合前端矽(SiView)和封装(AsmView)系统，一并整合先进制程、先进封装，为客户提供最佳服务。

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