虽然双十一多数终端产品销售平淡，但在三大原厂（三星、SK海力士及美光）大幅减产、控制产出的前提下，存储芯片现货涨价趋势持续，其中NAND因亏损较严重，涨幅较为明显。

    据中国台湾媒体《工商时报》，存储芯片大厂减产保价策略十分奏效，Q4合约价报价优于市场预期，其中DDR5上涨15～20％，DDR4上涨10～15％，DDR3上涨10％，而原先预估仅5～10％。同时，NAND每家平均涨幅至少在20～25％，涨幅明显更高。

    另外，三星对DRAM正常报价，但在NAND部分则暂停报价，同时也不出货，最新报价仍待观察。

    InSpectrum最新报价显示，DRAM现货中4Gb和8GbDDR4近一周报价基本持平，但近一月报价已上涨3.03％和1.97％。

    在NANDFlash现货方面，256Gb周报价基本持平，但和512GbTLCFlash上涨4.12％，月报价则分别上涨15.25％和27.78％。

    TrendForce分析师预计预估，第四季DRAM报价将会增长3～8％，而第三季跌幅为0～5％；第四季NAND报价季增8～13％，也远优于第三季的跌幅5～10％。

    存储模组厂商透露，目前原厂对四季度Flash（闪存）供应主打“拖延战术”，原先（模组厂）曾在9月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格都无法达到满意的目标。虽然终端市场需求已进入淡季，但Flash现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态，加速Flash晶圆各产品全面调涨。尽管短期通路市场库存积压，NANDFlash晶圆涨势不减反增，主流512Gb现货价单月调涨约2成，站上2.6美元。

    据称，三星第四季度DRAM减产幅度达30％，SK海力士及美光减产幅度达20％，原厂对NAND的减产幅度更高，预计三大供应商减产将持续至2024年中，且资本支出和产出将聚焦于利润更高的部分，如HBM和DDR5。

    北京南电科技是一家集代理、分销、现货供应与技术支持于一体的综合性元器件服务商。公司先后代理了韩国HTC-Korea、Maplesemi、Lrc、Comon等国内外品牌。同时还与ONsemi、ST、Nxp、Diodes、Vishay、Ixys、英飞凌等国际品牌保持密切合作。南电能够为客户提供包括二三极管、IC、MOS管与IGBT在内的多种元器件，能极大满足消防安防、电源电力、汽车电子、医疗器械、仪器仪表、智能硬件等诸多行业客户需求。且于北京、深圳地设立分公司及现货仓库，时刻准备着为客户提供样品与批量供货服务。