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　　第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博致辞时表示，半导体产业的核心竞争力决定科技发展的高度。当前，半导体产业进入稳步增长的发展态势，未来随着材料、器件等产业全链条技术的进步与提升，功率半导体发展空间巨大。成都的功率半导体产业发展迅速，已构建了较为完整的产业链，在专业人才资源等方面有长期积累，并拥有电子科技大学等具有优势的科研机构，综合实力强大。希望借此会议契机，共同为业界搭建高质量的开放互动交流平台，助力探索科技自主创新和实践。

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　　在大会主旨报告环节，专家学者们围绕硅基功率半导体器件与集成电路、碳化硅、氮化镓等化合物功率器件、功率模组与封装等主题，深入分析和交流相关最新研究进展。

　　成都信息工程大学副校长、电子科技大学教授罗小蓉作了题为“氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用”的主题报告，重点阐述GaN在功率器件、栅驱动以及高效电能变换三个方面的技术现状、挑战以及应对方法。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰作了“第三代半导体产业发展现状及展望”的主题报告，分享了当前产业整体发展现状、形势与需求。广东芯粤能半导体有限公司首席技术官相奇作了题为“大规模碳化硅功率器件制造探索”的主题报告，分享了碳化硅功率器件市场需求、研发与制造的新进展。电子科技大学集成电路科学与工程学院副院长、教授陈万军作了题为“超快高压脉冲功率半导体器件与应用”的主题报告，分享了最新研究进展及其应用前景，指出超快高压脉冲功率半导体器件是全固态脉冲功率系统的核心。围绕封装技术带来的碳化硅器件走向大规模应用的瓶颈性问题，西安交通大学电气工程学院教授王来利作了题为“碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究”的主题报告，分享了最新研究进展与成果，并指出相同封装下宽禁带器件将比硅器件面临更高的电热应力以及器件封装材料体系无法匹配半导体高温特性的挑战。成都高投芯未半导体有限公司常务副总经理蒋兴莉博士作了题为“高密度IGBT实现路径”的主题报告，分析了IGBT的供需问题，并指出新能源汽车、消费电子和工控是中国IGBT需求占比最大的三个下游领域。

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　　此外，本次会议围绕“硅基、化合物功率器件设计及集成应用”“高压器件设计、集成及封装应用”两个主题方向设置了两大平行论坛。

　　本次会议汇聚了国内功率半导体领域众多专家学者和产业界翘楚，会议交流气氛热烈，充分促进了学术交流，加强了学术与产业的对话互动。电子科技大学集成电路学院老师及优秀研究生代表在本次会议上围绕器件物理、器件设计与可靠性、先进电源管理与驱动电路等方面作了9个报告，充分展示了我校在该领域基础与应用研究方面的实力。

　　本次会议在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，由电子薄膜与集成器件全国重点实验室、电子科技大学集成电路研究中心、成都信息工程大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业、中国电源学会元器件专业委员会共同主办，并得到成都氮矽科技、苏州纳维、镓仁半导体、核力创芯、莱普科技、成都复锦功率半导体、英铂科学仪器、艾姆希等行业企业的支持。