2018年1月9号，IEEE成都分会执行委员会（简称成都分会）会议（IEEE Chengdu Section Executive Committee Meeting）在电子科技大学沙河校区主楼隆重举行，会议公布了2017年IEEE成都分会“最佳学生论文”（IEEE Chengdu 2016 EXCELLENT Student Paper）获奖者。

电子科技大学功率集成技术实验室李轩博士在《IEEE Transactions on Industrial Electronics》上发表的论文“A SiC Power MOSFET Loss Model Suitable for High Frequency Application”被评为“最佳学生论文”。

IEEE成都分会每1-2年评选一次“最佳学生论文奖”，李轩博士也是继功率集成技术实验室中周泽坤博士（2012年）、章文通博士（2014年）、周坤博士（2015年）和魏杰同学（2016年）之后，第五位获此殊荣的博士，在此表示祝贺。

功率集成技术实验室近几年在电子器件领域的国际顶级期刊IEEE EDL和IEEE T-ED上每年均发表多篇文章，在功率器件相关应用领域的国际顶级期刊 IEEE T-IE和IEEE T-PE上也屡有突破，在功率器件领域的国际顶级会议ISPSD上更是捷报频传。希望实验室的老师同学勠力同心，再接再厉，在2018年取得更好地成绩。

http://s11/bmiddle/002Cvzufzy7hfu8AdNU2a&690Chengdu 2016 EXCELLENT Student Paper" TITLE="祝贺实验室李轩博士获IEEE Chengdu 2016 EXCELLENT Student Paper" />

图为 IEEE成都分会执行主席，电子科技大学李少谦教授和 IEEE成都分会评奖委员会主席，西南交通大学范平志给李轩博士颁发奖状和奖品