电子科技大学是教育部直属全国重点大学，原名成都电讯工程学院，是1956年在周恩来总理的亲自部署下，由交通大学、南京工学院（现东南大学）、华南工学院（现华南理工大学）的电子信息类学科合并创建而成。学校1960年被列为全国重点大学；1997年首批成为国家“211工程”重点建设大学；2001年，教育部、四川省人民政府签署重点共建电子科技大学的协议，学校进入了国家《面向21世纪教育振兴行动计划》建设国内外知名高水平研究型大学（国家“985工程”重点建设大学）的行列。2012年全国一级学科评估中，电子科技大学“电子科学与技术”排名全国第一，“信息与通信工程”排名全国第二。  

电子科技大学功率集成技术实验室成立于九十年代末期，来自八十年代初期成立的以新型功率MOS 器件为主要研究方向的电子科技大学微电子研究所。功率集成技术实验室隶属电子科技大学微电子与固体电子学院（www.me.uestc.edu.cn），也是电子薄膜与集成器件国家重点实验室（www.etfid.uestc.edu.cn）的重要组成部分。

电子科技大学功率集成技术实验室现有包括6名教授、10名副教授在内的20名专任教师，拥有近200名在读硕士研究生、近30名在读博士研究生的研究团队，是全球功率半导体领域规模最大的高校学术团队。目前实验室已培养出博士31名、硕士500余名。

电子科技大学功率集成技术实验室专注于功率半导体技术研究，开展了功率半导体分立器件（从高性能二极管、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT到RF LDMOS等，从硅基到SiC和GaN）、可集成功率半导体器件新结构（包括硅基、SOI基和GaN基）、高低压工艺集成、电源管理集成电路和功率集成电路以及数字辅助功率集成领域的研发工作。

在功率半导体分立器件领域：

Ø       与华润微电子等企业开展了600V-6500V的系列IGBT研究；

Ø       与多家企业合作开展了从平面型功率MOSFET到超级结（Super Junction）功率MOSFET系列产品研发；

Ø       与多家企业合作，开展了抗辐射VDMOS器件研制、高ESD特性功率MOSFET研发；

Ø       为企业开发了硅PNP高EB反压差分对管、硅NPN全恒温区晶体管、达林顿对管、快恢复二极管等；

Ø       已在八英寸线上量产新结构高性能整流器；

Ø        开展了SiC功率器件、硅基GaN功率器件、单片大功率RF LDMOS器件等研究。

在功率集成电路领域：

Ø       分别在硅基和SOI基上开展了高压BCD兼容工艺、高低压隔离、高压器件建模、高压IP、高压器件可靠性、新型可集成功率器件等研究；

Ø       与企业合作开发了-100V到700V系列高压工艺平台；

Ø       开发了系列高压集成电路、电源管理集成电路和SoC中的电源管理单元。

实验室还开展了光电集成电路、ESD保护等专项研究。

目前电子科技大学功率集成技术实验室在功率半导体领域牵头或参与了多项国家科技重大专项；近五年共获得近20项国家自然科学基金项目，其中继2012年获得1项国家自然科学基金重点项目、2项面上项目和1项青年基金项目后，2013年获得3项面上项目和4项青年基金项目资助；与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业合作项目，和上海华虹宏力、华润微电子、天津中环半导体、吉林华微、深圳深爱、江苏东光、启东捷捷、西安卫光、贵州振华、四川长虹、深圳华为、南车株洲、北车永济、国家电网智能电网研究院、广东美的、航天七院、中科院微电子所、中科院微系统所、中国电科58所、中国电科47所、中国电科24所、中国电科13所以及美国ADI、日本Rohm、HKUST、东南大学等等单位开展了密切的项目合作。

2007年以来实验室在微电子行业顶级刊物《IEEE Transactions on Electron Devices》、《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Transactions on Industrial Electronics》、《IEEE Transactions on Power Electronics》以及《IEEE Transactions on Circuits and Systems》上共发表论文41篇。近三年实验室年均发表EI收录论文50余篇、SCI收录论文20余篇。其中2012年实验室在《IEEE Electron Device Letters》上发表论文7篇，位列全球前列；功率半导体领域国际顶级会议ISPSD收录论文从2006年实现0的突破后，2011年实验室入选3篇论文列ISPSD-2011入选论文前列，在ISPSD-2012会议上，电子科技大学功率集成技术实验室投稿7篇，录取4篇，论文录取数仅次于英国剑桥大学Prof. Florin Udrea小组,2013年实验室投稿7篇，录取6篇，论文录取率远高于会议论文录取率，论文录取数第一次跃居全球各研究小组之首，研究成果受到国际同行关注。

截止2013年10月，实验室共申请国内外发明专利387项，已获得美国专利授权1项，中国发明专利授权117项。在IGBT等多个领域授权数居国内第一。

实验室牵头获得2010年国家科技进步二等奖和2009年四川省科学技术进步一等奖；与中国电科24所合作获得2011年中国电子科技集团公司科技发明一等奖；与上海华虹NEC合作获得2011年中国电子学会电子信息科学技术二等奖。