MBR20200CT 中文资料

产品：MBR20200CT

牌子：ON(安森美)

封装:TO-220

年份：2010年产

包装：1000/盒

原装正品进口产地

MBR20200CT-肖特基二极管 中文资料

MBR20200CT概述及特点:

1 多层金-半硅势垒结构，多数载流子导电；

2 低功耗，高效率；

3 用于低压高频逆变电路，续流电路和保护电路；            

4 带过压（硼）保护环；                                          

5 封装型式： TO-220；

6 双管芯结构。

MBR20200CT参数:

1 最大反向重复峰值电压  200V

2 反向峰值工作电压      200V

3 最大直流阻断电压      200V

4 Tamb = 105℃ 整个器件最大正向平均整流电流    20A

5  正向峰值浪涌电流（额定负载8.3ms半正弦波

—按JEDEC 方法）       2000A

6 最大正向瞬态峰值压降  双管芯单个器件

TF=10A， Tamb=25℃      0.87V

反向漏电流     

25℃, VR=200V             5UA

125℃, VR=200V            5MA

7  最大结电容    0V,1MHz       300PF

8  工作结温      -67~+175℃

9  储存温度范围  -67~+175℃

MBR20200CT引脚图:

http://www.icsmar.com/upload/images/2011/01/20110103110156396.jpg肖特基二极管 中文资料" TITLE="MBR20200CT 肖特基二极管 中文资料" />

MBR20200CT实物图：

http://www.icsmar.com/upload/images/2011/01/20110103110242474.jpg肖特基二极管 中文资料" TITLE="MBR20200CT 肖特基二极管 中文资料" />

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