(转）二极管的正向恢复效应对驱动器产生的影响

转自：http://www.igbt.cn/UserFiles/S_Concept/112.pdf

IGBT的续流二极管的反向恢复效应被人们所熟知，而这种二极管其实也存在正向恢复效应。

正向恢复发生在二极管开通的时刻，如图示，在下管IGBT关断的瞬间，IGBT的电流就要转移到上管的续流二极
管，在这瞬间 ，上管的二极管发生正向恢复过程。如图红圈所示的时刻。

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图为某品牌1700V/450A的IGBT模块具体测试波形。在关断下管IGBT瞬间，观测上管二极管的电流及电压。可以看到，在 极管开 的时刻 二极管开通的时刻，二极管的阳极的电位比阴极要高，峰值大约150V，持续时间为300~400ns。

http://s4/mw690/002o6Efgty6QGZYOvfR63&690

在这里我们不讨论产生二极管正向恢复现象的原因，不过可以这样认为，这是半导体器件的固有的属性。绝大多数情况下，正向恢复效应不会产生什么问题，所以通常很少被讨论。关于这个效应，有几个特点需要注意：
[1. 二极管温度越高时，正向恢复效应越强烈，幅值及时间都会较长；
[2. 电压越高，电流越大的器件，正向恢复效应越强；
[3. 不同品牌的器件 不同品牌的器件，即使是同 电压或电流等级 一电压或电流等级，正向恢复效应程度也许会有所不同；