压力容器锻件超声波探伤方法及标准

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压力容器锻件超声波探伤压力容器探伤探伤标准 |
分类: 无损检测技术 |
中华人民共和国第一机械工业部部标准
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本标准适用于采用脉冲反射式超声波探伤仪对公称厚度大于等于 50mm的压力容器用碳钢和低合金钢锻件进行的超声波探伤。并且规定了探伤方法和结果的等级分类。
1 术语定义
1.1 各类锻件的定义及其公称厚度的规定。
1.1.1 筒形锻件—轴向长度L大于其外径尺寸D的轴对称空心锻件如图1(a)所示。t为公称厚度。
1.1.2 环形锻件-轴向长度L小于等于其外径尺寸D的轴对称空心锻件如图1(a)所示。t为公称厚度。
1.1.3 饼形锻件-轴向长度L小于等于其外径尺寸D的轴对称形锻件如图1(b)所示。t为公称厚度。
1.1.4 碗形锻件-用作容器封头,中心部分凹进去的轴对称形锻件如图1(c)所示。t为公称厚度。
1.1.5 方形锻件-相交面互相垂直的六面体锻件如图1(d)所示。
1.2 底波降低量BG/BF(dB)
1.3 密集区缺陷
1.4 缺陷当量直径
1.5 AVG曲线
2 探伤人员
3 探伤器材
3.1 探伤仪
3.1.1 应采用A型脉冲反射式超声波探伤仪,其频响范围至少应在1~5MHz内。
3.1.2 仪器应至少在满刻度的75%范围内呈线性显示(误差在5%以内),垂直线性误差应不大于5%。
3.1.3 仪器和探伤的组合灵敏度:在达到所探工件最大声程处的探伤灵敏度时,有效灵敏度余量至少为10dB。
3.1.4 衰减器的精度和范围,仪器的水平线性、动态范围等均应符合ZB Y230-84《A型脉冲反射式超声波探伤仪通用技术条件》中的有关规定。
3.2 探头
3.2.1 探头的公称频率主要为2.5MHz,频率误差为±10%。
3.2.2 主要采用晶片尺寸为Φ20mm的硬保护膜直探头。
3.2.3 必要时也可采用2MHz或2.25MHz,以及晶片尺寸不大于Φ28mm的探头。
3.2.4 探头主声束应无双峰,无偏斜。
3.3 耦合剂
4 探伤时机及准备工作
4.1 探伤时机
4.2 准备工作
4.2.1 探伤面的光洁度不应低于Ñ5,且表面平整均匀,并与反射面平行,圆柱形锻件其端面应与轴线相垂直,以便于轴向探伤。方形锻件的端面应加工平整,相邻的端面应互相垂直。
4.2.2 探伤表面应无划伤以及油垢和污物等附着物。
4.2.3 锻件的几何形状及表面检查均合格后,方可进行探伤。
4.3 重要区
5 探伤方法
5.1 横波探伤
5.2 纵波探伤
5.2.1 扫查方法
5.2.1.1 锻件原则上应从两相互垂直的方向进行探伤,尽可能地探测到锻件的全体积。主要探测方向如图2所示,其他形状的锻件也可参照执行。
5.2.1.2 扫查范围:应对锻件整个表面进行连续全面扫查。
5.2.1.3 扫查速度:探头移动速度不超过150mm/s。
5.2.1.4 扫查复盖应为探头直径的15%以上。
5.2.1.5 当锻件探测厚度大于400mm时,应从相对两端面探伤。
5.2.2 探伤灵敏度的校验。
5.2.2.1 原则上利用大平底采用计算法确定探伤灵敏度,对由于几何形状所限,以及缺陷在近场区内的工件,可采用试块法(见附录A)。
5.2.2.2 用底波法校正灵敏度,校正点的位置应选在工件上无缺陷的完好区域。
5.2.2.3 曲面补偿:对于探测面是曲面而又无法采用底波法的工件,应采用曲率与工件相同或相近(0.7~1.1倍)的参考试块(见附录A);或者采用小直径晶片的探头,使其近场区的长度小于等于1/4工件半径,这样可不需进行曲面补偿。
5.2.2.4 探伤灵敏度不得低于Φ2mm当量直径。
5.2.3 缺陷当量的确定
5.2.3.1 采用AVG曲线及计算法确定缺陷当量。
5.2.3.2 计算缺陷当量时,当材质衰减系数超过4dB/m时,应考虑修正。
5.2.3.3 材质衰减系数的测定。
a. 应在被测工件无缺陷区域,选取三处有代表性的部位,求B1/B2的值,即第一次底波高度(B1)与第二次底波高度(B2)之比的dB差值。
b. 衰减系数a(dB/m)的计算公式为
式中:T-声程,m。
5.2.3.4 AVG曲线图见附录C。
5.3 灵敏度的重新校验
5.3.1 除每次探伤前应校准灵敏度外,遇有下述情况时,必须对探伤灵敏度进行重新校准:
a. 校正后的探头、耦合剂和仪器调节旋钮等发生任何改变时;
b. 开路电压波动或操作者怀疑灵敏度有变动时;
c. 连续工作4h以上;d. 工作结束时。
5.3.2 当增益电平降低2dB以上时,应对上一次校准以来所有检查的锻件进行复探;当增益电平升高2dB以上时,应对所有的记录信号进行重新评定。
6 记录
6.1 记录当量直径超过Φ4mm的单个缺陷的波幅和位置。
6.2 密集性缺陷:记录密集性缺陷中最大当量缺陷的位置和分布。
6.2.1 饼形锻件应记录大于等于Φ4mm当量直径的缺陷密集区。
6.2.2 其他锻件应记录大于等于Φ3mm当量的缺陷密集区。
6.2.3 缺陷密集区面积以50mm×50mm的方块作为最小量度单位,其边界可由半波高度法决定。
6.3 应按表2要求记录底波降低量。
6.4 衰减系数:若供需双方有规定时,应记录衰减系数。
7 等级分类
7.1 单个缺陷反射的等级见表1。
表1
等 |
Ⅰ |
Ⅱ |
Ⅲ |
Ⅳ |
Ⅴ |
缺陷当量直径 |
≤Φ4 |
Φ4+(7~8dB) |
Φ4+(>8~12dB) |
Φ4+(>12~16dB) |
>Φ4+16dB |
7.2 底波降低量的等级见表2。
表2
等 |
Ⅰ |
Ⅱ |
Ⅲ |
Ⅳ |
Ⅴ |
|
底 降低量 |
BG/BF |
≤8 |
>8~14 |
>14~20 |
>20~26 |
>26 |
注:①在计算缺陷引起的底面反射降低量时,应扣除4dB/m的材质衰减。
7.3 密集区缺陷等级见表3。
表3
等 |
Ⅰ |
Ⅱ |
Ⅲ |
Ⅳ |
Ⅴ |
密集区缺陷占探伤总面积百分比H |
0 |
>0~5% |
>5%~10% |
>10%~20% |
>20% |
注:表1~表3的等级应作为独立的等级分别使用。
7.4 如果工件的材质衰减对探伤效果有较大的影响时,应重新进行热处理。
7.5 按7.1、7.2、7.3条认定级别的缺陷,如果被探伤人员探定为危害性缺陷时,可以不受上述条文的限制。
8 探伤报告
8.1 工件情况:工件名称、材料牌号、编号、材质衰减、主要部位尺寸草图、探伤面的光洁度。
8.2 探伤条件:探伤仪型号、探头频率、晶片尺寸(K值)、探测方向、探伤灵敏度、参考反射体、耦合剂等。
8.3 探伤结果
8.3.1 缺陷位置、缺陷当量直径、底波降低区及缺陷分布示意图。
8.3.2 缺陷等级及其他。
8.4 探伤人员的资格证号、等级、姓名。报告签发人的资格证书、等级、姓名、日期。
附件A
试块要求
(补充件)
A1 远场区使用,探测表面为平面时,应采用CS2型标准试块。
A2
远场区使用,探测表面为平面时,应采用CS1型标准试块。
A 3 探伤面是曲面时,原则上应采用与工件具有大致相当曲率半径的对比试块,其具体形状如图A1所规定。
附录B
横波探伤
(补充件)
B1 横波探伤仅适用于内外径之比大于等于75%的环形和筒形锻件。
B2 探头
B2.1 探头公称频率主要为2.5MHz,也可用2MHz。
B2.2 探头晶片面积140~400mm2。
B2.3 原则上应采用K1探头,但根据工件几何形状的不同,也可采用其他的K值探头。
B3 参考反射体
B3.1 为了调整探伤灵敏度,利用被探工件壁厚或长度上的加工余量部分制作对比试块,在锻件内外表面,分别沿轴向和周向加工平行的V形槽作为标准沟槽,V形槽长度为25mm,深度为锻件壁厚的1%,角度为60°。也可采用其他等效的反射体(如边角反射等)。
B4 探伤方法
B4.1 扫查方法
B4.1.1 扫查方法见图B1。
B4.1.2 探头移动速度不应超过150mm/s。
B4.1.3 扫查复盖应为探头宽度的15%以上。
B4.2 灵敏度检验
B5 记录
附录C
AVG曲线图
(参考件)
C1 AVG曲线参考图举例如下:
图C2
C2 AVG曲线图必须在CS1和CS2型标准试块上测定后绘制。