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IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2

型号：IKW25N120T2

品牌：ASEMI

封装：TO-247

特性：IGBT管

正向电流：25A

反向耐压：1200V

引脚数量：3

芯片个数：1

包装方式：3000pcs/盘

特点：大功率IGBT管

工作温度：-40~175

第二代1200 V应用提供：

-非常紧的参数分布

-高强度，温度稳定性能

由于正温度系数，易于并联

在VCE（sat）中

低电磁干扰

低栅极电荷

非常软、快速恢复反并联发射极控制的HE二极管

ASEMI代理英飞凌IKW25N120T2整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了IKW25N120T2整流桥的最大漏源电流25A，漏源击穿电压1200V.