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SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3

型号：SPA17N80C3

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-220F

最大漏源电流：17A

漏源击穿电压：800V

RDS（ON）Max：0.29Ω

引脚数量：3

特点

新的革命性高压技术

全球最佳RDS（上）

在TO 220中

超低栅极电荷

周期性雪崩额定值

极限dv/dt额定值

超低有效电容

提高了跨导

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55~150

备受欢迎的SPA17N80C3 MOS管

  ASEMI代理英飞凌品牌SPA17N80C3是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了SPA17N80C3的最大漏源电流17A，漏源击穿电压800V.

•细节体现差距

SPA17N80C3,ASEMI代理英飞凌MOS管，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

SPA17N80C3具体参数为：最大漏源电流：17A，漏源击穿电压：800V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F