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IPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G

型号：IPB107N20N3G

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-263

最大漏源电流：88A

漏源击穿电压：200V

RDS（ON）Max：10.7mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55~175

IPB107N20N3G场效应管

IPB107N20N3G的电性参数：最大漏源电流88A；漏源击穿电压200V

IPB107N20N3G应用：

适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.