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IPB64N25S3-20-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB64N25S3-20

型号：IPB64N25S3-20

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-263

最大漏源电流：64A

漏源击穿电压：250V

RDS（ON）Max：17.5mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55~175

IPB64N25S3-20场效应管

IPB64N25S3-20的电性参数：最大漏源电流64A；漏源击穿电压250V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=250V，Id=64A

RDS（开）:17.5m （最大值）@VG=10V