编辑：ll

ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管

型号：IXYB82N120C3H1

品牌：IXYS/艾赛斯

封装：TO-264

最大漏源电流：82A

漏源击穿电压：1200V

RDS（ON）Max：mΩ

引脚数量：3

特性：IGBT二极管

芯片个数：

沟道类型：

漏电流：ua

特性：IGBT、二极管

工作温度：-55~150

备受欢迎的IXYB82N120C3H1二极管

  艾赛斯品牌IXYB82N120C3H1是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了IXYB82N120C3H1的最大漏源电流82A，漏源击穿电压1200V.

•细节体现差距

IXYB82N120C3H1,艾赛斯品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

IXYB82N120C3H1具体参数为：最大漏源电流：82A，漏源击穿电压：1200V，反向恢复时间： ns，封装：TO-264

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。

ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件，主要生产销售整流桥系列封装（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各种封装参数在ASEMI官网都有详细介绍。